参数名 | 参数值 |
| _rohs | 0 |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/rochester-electronics-llc/IR2106PBF/13451060 |
| _packaging | |
| 安装类型 | 通孔 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 栅极类型 | IGBT，MOSFET（N 沟道） |
| 输入类型 | 非反相 |
| 通道类型 | 独立式 |
| 驱动器数 | 2 |
| 驱动配置 | 半桥 |
| _datasheetUrl | https://rocelec.widen.net/view/pdf/vsl8vesgi9/IRSDS12164-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw |
| 封装/外壳 | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 电压 - 供电 | 10V ~ 20V |
| DigiKey 可编程 | 未验证 |
| 供应商器件封装 | 8-PDIP |
| 逻辑电压 - VIL，VIH | 0.8V，2.9V |
| 上升/下降时间（典型值） | 150ns，50ns |
| 高压侧电压 - 最大值（自举） | 600 V |
| 电流 - 峰值输出（灌入，拉出） | 200mA，350mA |
