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IR2135STRPBF

IR2135STRPBF

参数名参数值
_rohs0
等级-
资质-
_detailUrl/zh/products/detail/rochester-electronics-llc/IR2135STRPBF/13485636
_packaging
安装类型表面贴装型
工作温度125°C(TJ)
栅极类型IGBT,MOSFET(N 沟道)
输入类型反相
通道类型3 相
驱动器数6
驱动配置半桥
_datasheetUrlhttps://www.infineon.com/dgdl/Infineon--DS-vNA-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c890ba169f
封装/外壳28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
电压 - 供电10V ~ 20V
DigiKey 可编程未验证
供应商器件封装28-SOIC
逻辑电压 - VIL,VIH0.8V,2.2V
上升/下降时间(典型值)90ns,40ns
高压侧电压 - 最大值(自举)600 V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)250mA,500mA
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付