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IL 821-3TE

IL 821-3TE

参数名参数值
_rohs1
技术GMR(大型磁阻传感)
等级-
类型通用
资质-
通道数2
_detailUrl/zh/products/detail/nve-corp-isolation-products/IL-821-3TE/5093812
_packaging
安装类型表面贴装型
工作温度-40°C ~ 125°C
数据速率110Mbps
通道类型单向
_datasheetUrlhttps://www.nve.com/Downloads/il800t.pdf
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
电压 - 供电3V ~ 5.5V
电压 - 隔离2500Vrms
隔离式电源无
输入 - 侧 1/侧 21/1
供应商器件封装8-SOIC
脉宽失真(最大)3ns
上升/下降时间(典型值)1ns,1ns
共模瞬变抗扰度(最小值)30kV/µs
传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)15ns,15ns
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付