参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| 通道数 | 1 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/toshiba-semiconductor-and-storage/TLP291-E/3053046 |
| _packaging | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 110°C |
| 输入类型 | DC |
| 输出类型 | 晶体管 |
| _datasheetUrl | //mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/docus/512/TLP291.pdf |
| 封装/外壳 | 4-SOIC（0.179"，4.55mm 宽） |
| 电压 - 隔离 | 3750Vrms |
| 供应商器件封装 | 4-SO |
| 电流 - 输出/通道 | 50mA |
| Vce 饱和压降（最大） | 300mV |
| 电压 - 输出（最大值） | 80V |
| 电流传输比（最大值） | 400% @ 5mA |
| 电流传输比（最小值） | 50% @ 5mA |
| 上升/下降时间（典型值） | 4µs，7µs |
| 电压 - 正向 (Vf)（典型值） | 1.25V |
| 接通 / 关断时间（典型值） | 7µs，7µs |
| 电流 - DC 正向 (If)（最大值） | 50 mA |
