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NJG1813KG1-TE3

NJG1813KG1-TE3

Nisshinbo Micro Devices Inc. · 封装 卷带(TR)

参数名参数值
IIP3-
P1dB-
_rohs0
拓扑-
插损0.45dB
特性-
电路DPDT
等级-
资质-
阻抗50 欧姆
隔离30dB
_detailUrl/zh/products/detail/nisshinbo-micro-devices-inc/NJG1813KG1-TE3/10671651
_packaging卷带(TR)
安装类型-
射频类型通用
工作温度-40°C ~ 105°C
测试频率920MHz
频率范围920MHz
_datasheetUrlhttps://www.nisshinbo-microdevices.co.jp/en/pdf/datasheet/NJG1813KG1_E.pdf
封装/外壳6-XFDFN 祼焊盘
电压 - 供电1.8V ~ 4V
供应商器件封装6-DFN(1.6x1.6)
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付