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PESD5V0V2BMBYL

PESD5V0V2BMBYL

NXP Semiconductors · 封装 散装

参数名参数值
_rohs0
应用-
等级汽车级
类型齐纳
资质AEC-Q101
_detailUrl/zh/products/detail/rochester-electronics-llc/PESD5V0V2BMBYL/15646683
_packaging散装
单向通道-
双向通道2
安装类型表面贴装型
工作温度-55°C ~ 150°C(TA)
_datasheetUrlhttps://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/PESD5V0V2BMB.pdf
封装/外壳3-XFDFN
电源线路保护无
不同频率时电容18pF @ 1MHz
供应商器件封装DFN1006B-3
功率 - 峰值脉冲-
电压 - 击穿(最小值)5.5V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)9A(8/20µs)
电压 - 反向断态(典型值)5V(最大)
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)12.5V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付