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MT53E2G64D8TN-046 AIT:C TR

MT53E2G64D8TN-046 AIT:C TR

Micron Technology Inc. · 封装 卷带(TR)

参数名参数值
_rohs0
技术SDRAM - 移动 LPDDR4X
等级汽车级
资质AEC-Q100
_detailUrl/zh/products/detail/micron-technology-inc/MT53E2G64D8TN-046-AIT-C-TR/17631832
_packaging卷带(TR)
存储容量128Gb
安装类型表面贴装型
工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
时钟频率2.133 GHz
访问时间3.5 ns
_datasheetUrlhttps://media-www.micron.com/-/media/client/global/documents/products/data-sheet/dram/mobile-dram/low-power-dram/lpddr4/556b_z42n_automotive_lpddr4x_lpddr4.pdf
封装/外壳556-LFBGA
存储器接口并联
存储器格式DRAM
存储器类型易失
存储器组织2G x 64
电压 - 供电1.06V ~ 1.17V
DigiKey 可编程未验证
供应商器件封装556-LFBGA(12.4x12.4)
写周期时间 - 字,页18ns
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付