参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 输入 | 标准 |
| 配置 | 半桥 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/stmicroelectronics/STGSH50M120D/25853852 |
| _packaging | 剪切带（CT） |
| IGBT 类型 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://www.st.com/resource/en/datasheet/stgsh50m120d.pdf |
| 封装/外壳 | 9-PowerSMD |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 功率 - 最大值 | 536 W |
| 供应商器件封装 | 9-ACEPACK SMIT |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 3152 pF @ 25 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 69 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200 V |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 25 µA |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2.3V @ 15V，50A |
