参数名 | 参数值 |
| _rohs | 0 |
| 等级 | 军用 |
| 资质 | MIL-PRF-19500 |
| FET 类型 | P 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/microchip-technology/MV2N5114UB/16556059 |
| _packaging | 散装 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C（TJ） |
| _datasheetUrl | //mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/docus/6791/123965-lds-0006-1.pdf |
| 封装/外壳 | 3-SMD，无引线 |
| 电阻 - RDS(On) | 75 Ohms |
| 功率 - 最大值 | 500 mW |
| 供应商器件封装 | UB |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 30 V |
| 漏极电流 (Id) - 最大值 | - |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) | 5 V @ 1 nA |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) | 30 mA @ 18 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 25pF @ 15V |
