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BFR505215

BFR505215

NXP USA Inc. · 封装 -

参数名参数值
_rohs0
增益-
等级-
资质-
_detailUrl/zh/products/detail/rochester-electronics-llc/BFR505215/12109777
_packaging
安装类型表面贴装型
工作温度175°C(TJ)
_datasheetUrlhttps://rocelec.widen.net/view/pdf/bft8g8zl84/PHGLS23192-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管类型NPN
频率 - 跃迁9GHz
功率 - 最大值150mW
供应商器件封装SOT-23(TO-236AB)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)18mA
电压 - 集射极击穿(最大值)15V
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)1.2dB ~ 2.1dB @ 900MHz
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)60 @ 5mA,6V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付