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NT9003HDAE4S-ES

NT9003HDAE4S-ES

Nisshinbo Micro Devices Inc. · 封装 剪切带(CT)

参数名参数值
_rohs1
等级-
资质-
_detailUrl/zh/products/detail/nisshinbo-micro-devices-inc/NT9003HDAE4S-ES/29271619
_packaging剪切带(CT)
工作温度150°C(TJ)
_datasheetUrl
封装/外壳4-XFDFN 祼焊盘
二极管类型反并联
电流 - 最大值20 mA
供应商器件封装DFN1212-4-HD
不同 If、F 时电阻-
不同 Vr、F 时电容0.03pF @ 2V,100MHz
功率耗散(最大值)920 mW
电压 - 峰值反向(最大值)20V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付