参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/toshiba-semiconductor-and-storage/HN1A01FU-GR-LXHF/26282330 |
| _packaging | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | - |
| _datasheetUrl | https://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=19142&prodName=HN1A01FU |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 PNP |
| 频率 - 跃迁 | 80MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 供应商器件封装 | US6 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 150mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，6V |
