参数名 | 参数值 |
| _rohs | 0 |
| 输入 | 标准 |
| 配置 | 单开关 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/infineon-technologies/FZ750R65KE3P2NOSA1/24399850 |
| _packaging | 托盘 |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 工作温度 | -50°C ~ 125°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-FZ750R65KE3-DS-v03_01-EN.pdf?fileId=db3a304325afd6e00126461fd3936974 |
| 封装/外壳 | 模块 |
| NTC 热敏电阻 | 无 |
| 功率 - 最大值 | 3000000 W |
| 供应商器件封装 | A-IHV190-6 |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies) | 205000 pF @ 25 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 750 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 6500 V |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 5 mA |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 3.4V @ 15V，750A |
