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MMRF1314H-1200

MMRF1314H-1200

NXP USA Inc. · 封装 -

参数名参数值
_rohs1
增益17.7dB
技术LDMOS(双)
等级-
资质-
配置2 个 N 沟道
频率1.2GHz ~ 1.4GHz
_detailUrl/zh/products/detail/nxp-usa-inc/MMRF1314H-1200/18713547
_packaging
噪声系数-
安装类型底座安装
_datasheetUrlhttps://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/MMRF1314H.pdf
封装/外壳SOT-979A
功率 - 输出1000W
电压 - 测试52 V
电压 - 额定105 V
电流 - 测试100 mA
供应商器件封装NI-1230-4H
额定电流(安培)10µA
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付