参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/ween-semiconductors/WG50N65DHJQ/18070234 |
| _packaging | |
| IGBT 类型 | 沟槽型场截止 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 开关能量 | 1.7mJ（导通），600µJ（关断） |
| 栅极电荷 | 160 nC |
| 测试条件 | 400V，50A，10 欧姆，15V |
| 输入类型 | 标准 |
| _datasheetUrl | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 功率 - 最大值 | 278 W |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 反向恢复时间 (trr) | 105 ns |
| 25°C 时 Td（开/关）值 | 66ns/163ns |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 200 A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 91 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 650 V |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） | 2V @ 15V，50A |
