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IXYP20N65C3D1

IXYP20N65C3D1

IXYS · 封装 -

参数名参数值
_rohs1
等级-
资质-
_detailUrl/zh/products/detail/ixys/IXYP20N65C3D1/5810072
_packaging
IGBT 类型PT
安装类型通孔
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
开关能量430µJ(导通),350µJ(关断)
栅极电荷30 nC
测试条件400V,20A,20 欧姆,15V
输入类型标准
_datasheetUrl//mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/docus/7125/DS100576CIXYAYP20N65C3D1.pdf
封装/外壳TO-220-3
功率 - 最大值200 W
供应商器件封装TO-220-3
反向恢复时间 (trr)135 ns
25°C 时 Td(开/关)值19ns/80ns
电流 - 集电极脉冲 (Icm)105 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)50 A
电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2.5V @ 15V,20A
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付