参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/toshiba-semiconductor-and-storage/RN1103MFV-TPL3/2330224 |
| _packaging | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| _datasheetUrl | https://toshiba.semicon-storage.com/info/RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 包含电阻器 | R1 和 R2 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 功率 - 最大值 | 150 mW |
| 供应商器件封装 | VESM |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 22 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 22 kOhms |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 500µA，5mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 70 @ 10mA，5V |
