参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/toshiba-semiconductor-and-storage/RN2106ACT-TPL3/4516233 |
| _packaging | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| _datasheetUrl | //mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/docus/8418/docget.jsp_did%3D730%26prodname%3Drn2101act.pdf |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 包含电阻器 | R1 和 R2 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 频率 - 跃迁 | - |
| 功率 - 最大值 | 100 mW |
| 供应商器件封装 | CST3 |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 80 mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50 V |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 250µA，5mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 10mA，5V |
