参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | 碳化硅（SiC） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/infineon-technologies/FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1/28005085 |
| _packaging | 托盘 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 工作温度 | -40°C ~ 175°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/60/49/infineon-ff4mr12w2m1hp-b11-datasheet-en.pdf |
| 封装/外壳 | 模块 |
| 功率 - 最大值 | 20mW |
| 供应商器件封装 | AG-EASY2B |
| 漏源电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190A |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.15V @ 80mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6 毫欧 @ 200A，18V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 594nC @ 18V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 17600pF @ 800V |
