参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| 配置 | 2 N 沟道，共漏 |
| FET 功能 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/nuvoton-technology-corporation/KFCAB21490L/21841353 |
| _packaging | 卷带（TR） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | 150°C |
| _datasheetUrl | https://www.nuvoton.com/export/resource-files/DS_KFCAB21490L_EN_Rev1.00.pdf |
| 封装/外壳 | 10-SMD，无引线 |
| 功率 - 最大值 | 540mW（Ta） |
| 供应商器件封装 | 10-SMD |
| 漏源电压（Vdss） | 12V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13.5A（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 1.11mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.75mOhm @ 6A，4.5V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 4V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3570pF @ 10V |
