规格参数
产品描述
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文档
| 参数名 | 参数值 |
|---|---|
参数名 | 参数值 |
| _rohs | 0 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| 配置 | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/wise-integration/WI62195/21264330 |
| _packaging | 托盘 |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| _datasheetUrl | //mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/docus/8933/WI62195.pdf |
| 封装/外壳 | 14-PowerLDFN |
| 功率 - 最大值 | - |
| 供应商器件封装 | 14-PQFN（6x8） |
| 漏源电压（Vdss） | 750V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tj） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.75V @ 10mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 2A，6V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.9nC @ 6V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 53.5pF @ 400V |
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付