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2SB906-Y(TE16L1,NQ

2SB906-Y(TE16L1,NQ

参数名参数值
_rohs1
等级-
资质-
_detailUrl/zh/products/detail/toshiba-semiconductor-and-storage/2SB906-Y-TE16L1-NQ/5093816
_packaging
安装类型表面贴装型
工作温度150°C(TJ)
_datasheetUrlhttps://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=20843&prodName=2SB906
封装/外壳TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
晶体管类型PNP
频率 - 跃迁9MHz
功率 - 最大值1 W
供应商器件封装PW-MOLD
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)3 A
电压 - 集射极击穿(最大值)60 V
电流 - 集电极截止(最大值)100µA(ICBO)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)1.7V @ 300mA,3A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 500mA,5V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付