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2SC5949-O(Q)

2SC5949-O(Q)

参数名参数值
_rohs1
等级-
资质-
_detailUrl/zh/products/detail/toshiba-semiconductor-and-storage/2SC5949-O-Q/2062610
_packaging
安装类型通孔
工作温度150°C(TJ)
_datasheetUrlhttps://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=6238&prodName=2SC5949
封装/外壳TO-3PL
晶体管类型NPN
频率 - 跃迁30MHz
功率 - 最大值220 W
供应商器件封装TO-3P(L)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)15 A
电压 - 集射极击穿(最大值)200 V
电流 - 集电极截止(最大值)5µA(ICBO)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)3V @ 1A,10A
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 1A,5V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付