参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/toshiba-semiconductor-and-storage/2SA1962-O-Q/871384 |
| _packaging | |
| 安装类型 | 通孔 |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://toshiba.semicon-storage.com/info/2SA1962_datasheet_en_20131101.pdf?did=20429&prodName=2SA1962 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 频率 - 跃迁 | 30MHz |
| 功率 - 最大值 | 130 W |
| 供应商器件封装 | TO-3P（N） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 15 A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 230 V |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 5µA（ICBO） |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 3V @ 800mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 80 @ 1A，5V |
