参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/cambridge-gan-devices/CGD65B130SH2/22533471 |
| _packaging | 剪切带（CT） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://camgandevices.com/p/product-CGD65B130SH2/ |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| Vgs（最大值） | +20V，-1V |
| 供应商器件封装 | 8-DFN（5x6） |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.2V @ 4.2mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 182 毫欧 @ 900mA，12V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.9 nC @ 12 V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
