参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | GaNFET（氮化镓） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/cambridge-gan-devices/CGD65C025SP2/27514098 |
| _packaging | 剪切带（CT） |
| 安装类型 | 表面贴装，可润湿侧翼 |
| 工作温度 | - |
| _datasheetUrl | https://d3pfqfz1dp5wqr.cloudfront.net/CGD_65_C025_SP_2_BHDFN_preliminary_datasheet_eeee687740.pdf |
| 封装/外壳 | - |
| Vgs（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | BHDFN-9-1 |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.2V @ 22mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 35 毫欧 @ 20A，15V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | - |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | - |
