参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 沟道,耗尽型 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/ixys-integrated-circuits-division/CPC3902ZTR/5119459 |
| _packaging | 剪切带(CT) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 110°C(TA) |
| _datasheetUrl | https://www.littelfuse.com/assetdocs/littelfuse-integrated-circuits-cpc3902-datasheet?assetguid=a3f85cc1-a248-4b47-b82c-4dcb5e30232f |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| Vgs(最大值) | ±15V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 漏源电压(Vdss) | 250 V |
| 功率耗散(最大值) | 1.8W(Tc) |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2.5 欧姆 @ 300mA,0V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | - |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 0V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 230 pF @ 20 V |