参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/nuvoton-technology-corporation/KFK9B0463ZLE/21841383 |
| _packaging | 卷带（TR） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://www.nuvoton.com/export/resource-files/DS_KFK9B0463ZL_EN_Rev2.00.pdf |
| 封装/外壳 | 9-ULGA |
| Vgs（最大值） | +20V，-10V |
| 供应商器件封装 | 9-LGA（3.05x3.05） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 功率耗散（最大值） | 860mW（Ta） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.5A（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 990µA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 2A，10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70 nC @ 10 V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5000 pF @ 20 V |
