参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| FET 功能 | - |
| FET 类型 | N 通道 |
| _detailUrl | /zh/products/detail/alpha-omega-semiconductor-inc/AO4476AL-101/7897890 |
| _packaging | |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| _datasheetUrl | http://www.aosmd.com/res/data_sheets/AO4476A.pdf |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24 nC @ 10 V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1380 pF @ 15 V |
