参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 技术 | SiC（Silicon Carbide）Schottky |
| 等级 | 汽车级 |
| 资质 | AEC-Q101 |
| 速度 | 零恢复时间 > 500mA（Io） |
| _detailUrl | /zh/products/detail/quest-semi/QSD50HCS120U/22217107 |
| _packaging | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| _datasheetUrl | |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
| 供应商器件封装 | TO-220-2L |
| 不同 Vr、F 时电容 | 2380000pF @ 0V，1MHz |
| 反向恢复时间 (trr) | 0 ns |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 50A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7 V @ 50 A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 40 µA @ 1200 V |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 1200 V |
