chipyii.com
1N5817 A0G

1N5817 A0G

参数名参数值
_rohs1
技术肖特基
等级-
资质-
速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
_detailUrl/zh/products/detail/taiwan-semiconductor-corporation/1N5817-A0G/7375359
_packaging
安装类型通孔
_datasheetUrlhttps://services.taiwansemi.com/storage/resources/datasheet/1N5817 SERIES_H2104.pdf
封装/外壳DO-204AL,DO-41,轴向
工作温度 - 结-55°C ~ 125°C
供应商器件封装DO-204AL(DO-41)
不同 Vr、F 时电容55pF @ 4V,1MHz
反向恢复时间 (trr)-
电流 - 平均整流 (Io)1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)450 mV @ 1 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 mA @ 20 V
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)20 V
原厂正品
RoHS 符合
REACH 声明
无铅工艺
可全球交付