参数名 | 参数值 |
| _rohs | 1 |
| 容差 | ±6% |
| 等级 | - |
| 资质 | - |
| _detailUrl | /zh/products/detail/taiwan-semiconductor-corporation/BZD17C200P-RVG/7374255 |
| _packaging | 卷带（TR） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| _datasheetUrl | https://services.ts.com.tw/storage/resources/datasheet/BZD17C%20SERIES_L2103.pdf |
| 封装/外壳 | DO-219AB |
| 功率 - 最大值 | 800 mW |
| 供应商器件封装 | Sub SMA |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 750 Ohms |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.2 V @ 200 mA |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 1 µA @ 150 V |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 200 V |
